Новости Дня

Чем запомнился Жорес Алферов?

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в Витебске. Его старший брат погиб на фронте, сам он провел войну на Урале в эвакуации с родителями. После окончания школы в Минске несколько семестров отучился в Белорусском политехническом институте (ныне — Белорусский национальный технический университет) на энергетическом факультете, затем перевелся в Ленинградский электротехнический институт (ныне — Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет). В 1952 году с отличием окончил его по специальности «электровакуумная техника».

С 1953 года Алферов работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе (ФТИ). В 1961 году он защитил кандидатскую диссертацию, а в 1970 стал доктором физико-математических наук. С 1987 по май 2003 года был директором ФТИ.

Академик участвовал в создании первых советских транзисторов и германиевых приборов. Среди областей его деятельности также были нанотехнологии, полупроводниковая и квантовая электроника. Главной работой Жореса Алферова стала разработка полупроводниковых гетероструктур (необходимы для создания диодных лазеров, светодиодов и солнечных батарей) и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов. За нее в 2000 году вместе с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером он стал лауреатом Нобелевской премии по физике. Академик был последним проживающим в России лауреатом Нобелевской премии по физике.

С 1991 до 2017 гг. Алферов являлся вице-президентом РАН. В 1989 году стал председателем Ленинградского научного центра АН СССР (впоследствии — Санкт-Петербургский научный центр РАН). С 1995 года Алферов был депутатом всех созывов Госдумы.

Академик написал более 600 научных работ, 3 монографии, и имел патент на 50 изобретений. Он стал полным кавалером ордена «За заслуги перед Отечеством». За вклад в науку Жорес Алферов также был награжден Премией Китото, званием «Почетный профессор МИЭТ», золотой медалью SPIE и другими наградами.